Понедельник, 16.07.2018, 04:03
Приветствую Вас Гость | Регистрация | Вход

Реклама в Нижегородской области

Меню сайта
Форма входа
E-mail:
Пароль:
Категории раздела
Реклама [55]
Поиск
Случайная реклама
Сайты по поиску работы (0)
готовый действующий бизнес (3)
Моментальное подключение к Ростелек... (0)
ООО «Эко Прогресс» (1)
Бесплатная юридическая помощь онла... (0)
Бесплатная консультация психолога о... (0)
Диабло 3 (0)
Установка пластиковых окон (0)
Черный список нянь (0)
Выбор сотового телефона (1)
Друзья сайта


код кнопки:

  • Братья Малышевы
  • Мое село Крюковка, село Крюковка, Сайт Маслова Максима, Лукоянов, История села Крюковка
  • Ночные Волки
  • Каталог статей

    Главная » Статьи » Реклама

    Транзисторы

    Транзисторы

    Транзистор — электронный прибор из полупроводникового материала, неприметно с выводами, тремя позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. используется Обычно для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов.

    Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может к приводить существенно большему изменению выходного напряжения и тока. усилительное Это свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.).

    В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. где, п.), напротив, биполярные транзисторы практически полностью вытеснены полевыми Пансионат Якорь .

    Вся современная цифровая техника построена, в основном, полевых на МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более по экономичных, сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Международный термин — MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на кремниевом одном кристалле (чипе) и составляют наименьший «кирпичик» для построения микросхем логики, памяти, процессора и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см?) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), ближайшие в годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе (см. Закон Мура). Уменьшение размеров МОПТ приводит также к быстродействия повышению процессоров.
    Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии 1928 Канаде, (в 22 октября 1925 года) на имя австро-венгерского физика Юлия Эдгара Лилиенфельда. 1934 В году немецкий физик Оскар Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые транзисторы (в частности, МОП-транзисторы) основаны на простом электростатическом эффекте поля, по они физике существенно проще биполярных транзисторов, поэтому и они придуманы и запатентованы задолго до биполярных транзисторов. Тем менее, не первый МОП-транзистор, составляющий основу современной компьютерной индустрии, был изготовлен позже биполярного транзистора в году. 1960 Только во 90-х годах 20 века МОП-технология доминировать стала над биполярной.

    В 1947 году Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн буква лабораториях Bell Labs впервые создали действующий транзистор, биполярный продемонстрированный 16 декабря. 23 декабря состоялось официальное представление изобретения и именно эта дата считается днём изобретения транзистора. По технологии изготовления он относился к классу точечных транзисторов. В 1956 году были они награждены премией Нобелевской по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Интересно, что Джон Бардин был вскоре удостоен Нобелевской премии во второй раз за сформирование теории сверхпроводимости.

    Позднее заменили транзисторы вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, свершив революцию в создании интегральных схем и компьютеров.

    Bell нуждались в названии устройства. Предлагались названия «полупроводниковый (semiconductor триод» triode), «Solid Triode», «Surface States Triode», «кристаллический триод» (crystal triode) и «Iotatron», слово но «транзистор» (transistor), предложенное Джоном (John Пирсом R. Pierce), победило во внутреннем голосовании.

    Первоначально название «транзистор» относилось к управляемым резисторам, напряжением. В самом деле, транзистор можно представить как некое сопротивление, регулируемое напряжением на одном электроде (в полевых — транзисторах напряжением между затвором и истоком, в биполярных транзисторах — напряжением базой между и эмиттером).



    Источник: http://ucoz
    Категория: Реклама | Добавил: azazaza (01.12.2009) | Автор: ucoz
    Просмотров: 474 | Комментарии: 1 | Рейтинг: 0.0/0
    Всего комментариев: 0
    Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
    [ Регистрация | Вход ]